В нeдaвнeм прoшлoм oдним из aвтoритeтныx кoнсoрциумoв в сфeрe рaзрaбoтки пoлупрoвoдникoвыx тexнoлoгий был aльянс пoд эгидoй компании IBM, куда входила масса других крупных производителей, включая Samsung и GlobalFoundries. После передачи заводов IBM компании GlobalFoundries этот альянс фактически перестал существовать, но отголоски былой деятельности всё ещё слышны. Так, компания Samsung с успехом осваивает такие наработки бывшего технологического союза, как производство полупроводников на пластинах FD-SOI (полностью обеднённый кремний на изоляторе) и интеграция в состав контроллеров и процессоров памяти типа MRAM.
Структура ячейки памяти STT MRAM разработки IBM и Samsung
В конце мая компания Samsung обещает провести конференцию Samsung Foundry Forum Event (дата проведения — 24 мая). В ходе мероприятия представители контрактного производства Samsung обещают рассказать о недавно завершённой разработке технологии встраиваемой энергонезависимой памяти типа MRAM. Память MRAM изобрела компания IBM, когда экспериментировала с тонкоплёночными магнитными структурами ещё на заре становления производства жёстких дисков. Сегодня MRAM усовершенствована до STT MRAM (spin-transfer torque MRAM), которая работает за счёт передачи момента вращения электрона.
Интеграция MRAM в состав SoC и контроллеров по требованию заказчика будет возможна уже в следующем году. Ячейка MRAM (STT MRAM) обещает оказаться на треть меньше ячейки SRAM и существенно проще в производстве, чем ячейки встроенной DRAM. Так, для выполнения ячейки DRAM в составе SoC в 28-нм техпроцессе требуется примерно 20 фотошаблонов. Для изготовления 28-нм ячейки MRAM понадобится всего три-четыре фотошаблона. К тому же, память MRAM работает быстрее памяти NAND и обладает лучшей устойчивостью к износу, чем традиционная флэш-память. Также Samsung готова продавать лицензию на выпуск встраиваемой MRAM другим производителям.
