С 17 пo 21 фeврaля в Сaн-Фрaнцискo прoxoдит eжeгoднaя кoнфeрeнция International Solid State Circuits Conference (ISSCC 2019). Мeрoприятиe этo интeрeснoe и автор этих строк пoпытaeмся рaсскaзaть o сaмыx знaчимыx сoбытияx кoнфeрeнции. Нaчнём наша сестра с совместного доклада компаний Toshiba Memory и Western Digital. Сии производственные партнёры сообщили подробности о подготовленной к массовому производству 96-слойной 1,33-Тбит памяти 3D NAND QLC (отметка четырёх бит в ячейку), а в свой черед о разработке 128-слойной памяти 3D NAND TLC (фонограмма трёх бит в ячейку).
Основные характеристики 1,33-Тбит 3D NAND QLC Toshiba (Toshiba Memory)
Рекордсменом точно по плотности стала память с записью четырёх двоичная единица информации в ячейку. Плотность записи 96-слойного чипа 3D NAND QLC ёмкостью 1,33 Тбит составила 8,5 Гбит/мм2. Сие без малого в полтора раза предпочтительно (если точно ― на 40 %), нежели в случае 512-Гбит 3D NAND TLC. Жилище чипа 3D NAND QLC равняется 158,4 мм2. Же рекорд в плотности ― это а ещё не всё. В схемотехнику памяти были внесены изменения, которые позволили понизить. Ant. увеличить потребление. В частности, была реализована программа питания со смещением, чего снизило порог рабочего напряжения и дало виртуальность уменьшить напряжение питания. В свою очередь разработчики сократили время программирования ячеек памяти держи 18 %, что-нибудь ускорило работу со страницами и небольшую) толику снизило латентность при работе с памятью.
Новая (дробная) лига массивов ячеек обещает двукратно повысить скорость работы 3D NAND (Toshiba Memory)
Десятое) доклад Toshiba Memory и Western Digital раскрыл детали о 128-слойной 3D NAND TLC. Считай, это первое публичное поминание о продвижении в разработке 128-слойной 3D NAND TLC. Пароемкость 128-слойного чипа равна 512 Гбит, фигли при площади кристалла 66 мм2 соответствует плотности дневной журнал 7,8 Гбит/мм2. Скопление ячеек на кристалле 128-слойной памяти разбит для четыре части (плана). Такая заведение обеспечит серьёзный рост в скорости календарь. Например, двухплановая организация обеспечивает соэ записи на уровне 66 Мбайт/с, а четырёхплановая ― 132 Мбайт/с.
Подражать кому организации кристалла флеш-памяти: вискер, два размежёванных массива ячеек (плана), сколько) (на брата план состоит из блоков (с 18, как в примере), блоки состоят с страниц (в примере из 10)
Арашан:
