Eсли нe учитывaть пaмять типa HBM2, тo нaибoлee прoизвoдитeльнoй пaмять, испoльзуeмoй в грaфичeскиx ускoритeляx, нa дaнный мoмeнт является память GDDR5X, разработкой и производством которой занимается Micron. Данная память изначально предполагалась в качестве переходной ступени от GDDR5 к более прогрессивной GDDR6, однако на данный момент Micron ещё не отправляет её на покой.
Как сообщается в официальном блоге компании, её инженерам в лабораторных условиях удалось повысить пропускную способность памяти GDDR5X на один канал до 16 Гбит/с, то есть разогнать её до частоты 2000 МГц. Отметим, что согласно официальным спецификациям JEDEC, память данного типа может работать с частотой до 14 Гбит/с на канал, а на данный момент в существующих на рынке видеокартах максимальная скорость и вовсе составляет лишь 11.4 Гбит/с (NVIDIA Titan Xp).
Достижение GDDR5X пропускной способности в 16 Гбит/с на контакт, вовсе не означает, что такая память готова к массовому производству, и вообще будет производиться. Результат получен лабораторных условиях, причём, при тщательном отборе наиболее удачных микросхем из большой партии. Скорее можно ожидать появления видеокарт с памятью GDDR5X с более реальными при массовом производстве 14 Гбит/с. Например, такая память может появиться в будущих видеокартах NVIDIA, выход которых по слухам может состояться уже в третьем квартале текущего года, ведь массовое производство памяти GDDR6 к этому времени ещё не начнётся.
Сама Micron признаёт, что успехи в разгоне GDDR5X, являются показателем готовности к переходу к выпуску скоростной GDDR6, массовое производство которой компания планирует начать в самом начале 2018 года. Примерно такого же графика старта массового производства придерживаются Samsung и SK Hynix. Отметим, что для памяти GDDR6 заявляется пропускная способность до 16 Гбит/с на контакт, однако перед GDDR5X она будет иметь ряд преимуществ, в том числе более низкое рабочее напряжении, ёмкость микросхем до 16 Гбит и двухканальный интерфейс. Также будет использован новый 180-контактный корпус площадью 14 x 12 мм, применение которого должно уменьшить электромагнитные помехи.
